不是美国商务部官员办事拖拉,而是对出口一条180nm制程工艺的半导体生产线给pGcA有些分歧。
自从GcA和尼康公司研发的90nm制程工艺的光刻机先后量产,财大气粗的INtEL、Ibm、tI、Amd和hp近水楼台先得月,先后定购了一条价值25亿美元的90nm制程工艺的半导体生产线。
一条180nm制程工艺的半导体生产线从22亿美元降到20亿美元,bSEc如今也能量产250nm制程工艺的光刻机,孙健将40台250nm制程工艺光刻机的生产订单交给bSEc。
这条180nm制程工艺的半导体生产线规划安装20台GcA生产的180nm制程工艺的光刻机和bSEc生产的40台250nm制程工艺的光刻机,既能节约成本,光刻效果也不受影响。
bSEc和GcA都是孙健控股的公司,作为两家公司的法人兼董事长,手掌手背都是肉。
去年11月15日,中美两国签订了中国加入世贸组织的双边协定,中国去年的Gdp达到1.19万亿美元,只占美国Gdp的12.1%、日本的24.9%,按照全球经济总量的排名来看,中国位居全球第七,排在意大利之后。
美国的头号对手还是全球经济老二的日本,继续打压日本的半导体产业。
虽然鲲鹏软件集团在全球软件市场占据20%的市场份额,但还没有对美国软件产业造成实际性的威胁,美国商务部也不容许微软公司垄断美国软件市场。
美国曙光投资公司控股的GcA成了同尼康半导体公司并驾齐驱的光刻机龙头企业,研发的90nm制程工艺光刻机已经量产,但在65nm制程工艺上都遇到了无法克服的困难。
尼康光刻机研究院和GcA光刻机研究院采用ArF193nm光源,研发一年多,毫无进展。
业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm制程工艺,而157nm将成为主流光源技术,但157nm光刻技术同样遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。
业界对下一代光刻机的发展提出了两种路线,一是以尼康和佳能等日本光刻机半导体企业,主张开发波长更低的157nm的F2准分子激光做为光源;二是GcA和英特尔发起建立了EUVLLc联盟,采用极紫外光源来提供波长更短的光源。
EUVLLc联盟中除了GcA、英特尔和牵头的美国能源部以外,还有摩托罗拉、Amd、Ibm,以及能源部下属三大国家实验室:劳伦斯利弗莫尔国家实验室、桑迪亚国家实验室和劳伦斯伯克利实验室。
GcA光刻机半导体研究院院长兼任光刻机光源研究所所长汤普森院士从1993年7月开始研发EUV,GcA前后投资了1.5亿美元,也没有取得成功,1997年7月自动放弃了研究。
1997年10月,汤普森院士出面邀请英特尔和美国能源部共同开发EUV。
前世,英特尔邀请尼康和ASmL加入EUVLLc联盟,但美国政府反对尼康加入,ASmL做出多重承诺后才得到这个千载难遇的机会,资金到位,技术入场,人才云集,EUVLLc联盟也花了近20年的时间,第一台可量产的ASmLEUV样机才正式发布。
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