前世,EUV光刻机的联合研发成功几乎逼近当时人类物理学、材料学以及精密制造的极限,除了光源功率要求极高,透镜和反射镜系统也极致精密,还需要真空环境,配套的抗蚀剂和防护膜的良品率也不高,别ASmL或Nikon,就算是科技实力世界第一的美国,以一国之力,完全自主制造一台EUV光刻机,比登还难。
EUV光刻机被称为人类工业皇冠上的明珠!
汤普森院士团队虽然没有研制成功EUV,但研究成果对GcA的光源和光学精密设备的不断改进贡献极大。
由于孙健重生,濒临破产倒闭的GcA浴火重生,重回全球光刻机的龙头企业之一,成为EUVLLc联媚重要成员,汤普森院士团队专门研究EUV光源7年,取得了不少重要技术成果,EUVLLc联盟研制成功EUV光刻机,肯定不需要15年。
GcA将成为全球唯一生产EUV光刻机的厂家,AtIc将成为最大的受益者,虽然孙健也乐见其成,但以美国饶性格,极有可能让AtIc交出GcA的控股权,严禁出口EUV到中国,这不是重生者愿意看到的结果。
前世被美国技术封锁,举国之力,孙健穿越前没有看到国产EUV光刻机的影子。
经过一年多的努力,bSEc已经研究成功8英寸晶圆、250nm制程工艺的光刻机,正在抓紧时间研制180nm制程工艺的光刻机。
制程工艺不断突破对bSEc来都是突飞猛进的进步,但同Nikon和GcA相比,还有2代技术差距,没有大肆宣传,避免被仇视中国的美国国会议员盯上。
不到10年时间,从4代技术差距缩短到2代,bSEc的管理层和技术人员都尽力了。
孙健知道,要是没有65nm制程工艺这道难关挡在光刻机业界的前面,有他出钱出力,bSEc在15年内也很难赶上光刻机技术实力雄厚的GcA和Nikon。
连李昌杰都不知道,bSEc研究院院长邓国辉院士和所长钱富强研究员率领光源研究所的140多名研发人员,经过2年半的潜心研究,有孙健不断“点拨”,终于在去年7月研制成功浸没式光刻系统技术,ArF激光器发射的193nm光源通过纯净水的折射,得到了波长134nm的光源,解决了业界遇到的193nm波长的世界级难题,还没有申请公司发明专利,秘而不宣。
只能委屈钱富强和140多名研发人员了。
研究员钱富强凭借主持研发成功浸没式光刻系统技术,攻克这项光刻机光源上的世界级难题,凭借这一世界级的重大科研成果,就能申请工程院院士。
邓国辉和钱富强从去年8月开始立项,bSEc投资1亿元,带领光源研究所,静下心来开始研发EUV。
作为上市公司,bSEc发布公告,投资1亿元继续研究193nm波长的世界级难题。
即使能得到蔡司公司最先进的透镜和反射镜系统,有资金支持,孙健也怀疑bSEc研究院在20年内能否研制成功EUV光刻机?
停止研究也不可能买到EUV光刻机,20年不行,30年!
“李总,布罗迪先生,余总已经拿到美国商务部的同意文件,我们明前往美国,180nm制程工艺的半导体生产线的基建要加快进度,增加人手,保证11月底完工。”
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